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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2016 | 以TCAD模擬n型砷化銦及高介電係數氧化層之金氧半電容元件特性 TCAD Simulation of n-type InAs MOSCAPs with High-κ Dielectric Layer | Chen-Lun Ting; 丁振倫 | 電子工程學研究所 |
2016 | 利用氫氣電漿清理砷化銦基板再用氧化物磊晶系統成長氧化鉿之介面特性分析 Analysis of Hydrogen plasma clean before deposition of HfO2 on InAs by Oxide MBE system with deflector interface | Thein Naing; 伍存龍 | 電子工程學研究所 |
2016 | 銻磷化銦結構特性與拉曼光譜之研究 Raman Scattering and Structure Properties in InPSb Alloys | Chieh-Miao Chang; 張傑淼 | 光電工程學研究所 |
2016 | 以拉曼頻譜探悉砷化銦之光學特性 The Study on the Optical Properties of InAs by Raman Spectroscopy | Yu-Yin Wang; 王昱尹 | 光電工程學研究所 |
2016 | 利用氧化層磊晶系統製作氧化釔及釔參雜氧化鍺金氧半電容元件與分析 Analyses of Yttrium Oxide and Yttrium–doped Germanium Oxide on Germanium by Oxide MBE | Wei-Ting Shen; 沈威廷 | 電子工程學研究所 |
2016 | 利用第一原理模擬四元半導體銻磷砷化銦的能帶結構 First-Principle Calculations of Band Structures of InAsPSb | Chih-Han Hsueh; 薛植函 | 光電工程學研究所 |
2016 | 氧化鋁/銻磷砷化銦金氧半電容元件特性改善與累積區頻散分析 Characteristic Improvement of Al2O3/InAsPSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor and Analysis of Accumulation Frequency Dispersion | Chen-Jia Yan; 顏辰嘉 | 電子工程學研究所 |