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出版年	標題	作者	系所
2020	具深槽源極孔洞之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體電流崩塌特性分析 Current Collapse Characterizations of GaN-on-Si HEMTs With Deep Trench Source Via	*Ji-Xuan Yang; 楊季璇*	光電工程學研究所

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