瀏覽 的方式: 作者 洪銘輝(Minghwei Hong)
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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2015 | 以臨場原子層沉積術成長氧化釔於砷化鎵之結構及介面特性之研究 Investigation of structure and interfacial properties of In situ ALD-Y2O3 on GaAs | Kuanhsiung Chen; 陳冠雄 | 物理研究所 |
2018 | 分子束磊晶成長氧化釔/砷化銦鎵之金氧半電容及
砷化鎵基反轉通道金氧半場效電晶體之電性研究 Electrical properties of MBE-Y2O3/In0.1Ga0.9As MOS capacitors and GaAs-based inversion-channel MOSFETs | Jun-Hao Huang; 黃俊豪 | 電子工程學研究所 |