瀏覽 的方式: 作者 林時彥(Shih-Yen Lin)
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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2019 | 以化學氣相沉積法製備之單晶二硒化鎢與其元件應用 Single-Crystal WSe2 Prepared by Chemical Vapor Deposition for Device Applications | Jun-Yan Li; 李俊諺 | 電子工程學研究所 |
2018 | 分子束磊晶成長之銻基材料及其奈米結構 Antimony Based Materials and Nanostructures Prepared by Molecular Beam Epitaxy | Hsuan-An Chen; 陳璿安 | 電子工程學研究所 |
2016 | 利用原子層沉積技術成長氧化層並製作免轉印上閘極石墨烯及二硫化鉬電晶體 Graphene and MoS2 Transferring-Free Top-Gated Transistors with Dielectric Layers Fabricated by Using the Atomic Layer Deposition | Shuo Hwai; 懷碩 | 電子工程學研究所 |
2015 | 磊晶成長之大面積二維材料及其元件應用 Large-Area Epitaxially Grown Two-Dimensional Crystals and Their Device Applications | Meng-Yu Lin; 林孟佑 | 電子工程學研究所 |
2020 | 過渡金屬硫化物之成長最佳化及其元件應用 Growth Optimization of Transition Metal Dichalcogenides and Their Device Applications | Hon-Chin Huang; 黃弘慶 | 電子工程學研究所 |