請用此 Handle URI 來引用此文件:
http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/31706
完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 戴怡德 | |
dc.contributor.author | Chi-Chin Wang | en |
dc.contributor.author | 王啟晉 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2021-06-13T03:18:04Z | - |
dc.date.available | 2007-08-01 | |
dc.date.copyright | 2006-08-01 | |
dc.date.issued | 2006 | |
dc.date.submitted | 2006-07-30 | |
dc.identifier.citation | 參考文獻
1、F. Schemid, C. Khattak, D. Feilt, “Producing large Sapphire for Optical Applications”, American Ceramic Society bulletin, 73 (1994) 39. 2、H. Kopetsch, “Numerical simulation of the interface inversion in Czochralski growth of oxide crystals”, Journal of Crystal Growth, 102 (1990) 505. 3、T. Tsukada, M. HozawaN, N. lmaishi, “Effect of interface inversion on thermal stress field in CZ crystal growth of oxide”, Journal of Chemical Engineering of Japan, 23 (1990) 3 286. 4、J. J. Derby, Q. Xiao, “Some effects of crystal rotation on large scale Czochralski oxide growth analysis via a hydrodynamic thermal-Capillary model “, Journal of Crystal Growth, 113 (1991) 575. 5、呂中偉,以熱交換器法生長氧化鋁單晶之模擬分析,國立中央大學 機械工程研究所 博士論文,民國91年7月。 6、E. T. Arakawa, “Optical properties of aluminum oxide in the vacuum ultraviolet”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 29 (1968) 735. 7、S. K. Hong, B. J. Kim, H. S. Park, Y. Park, S. Y.Yoon, T. I. Kim, “Evaluation of nanopipes in MOCVD grown(0001)GaN/Al2O3 by wet chemical etching”, Journal of Crystal Growth, 191 (1998) 275. 8、T. Mukai, M. Senoh, “Candela-class high-brightness In GaN/AlGaN double-heterostructure blue- light- emitting diodes”, Applied Physics Letters, 64 (1994) 1687. 9、J. A. Savage, “Reparation and properties of hard crystalline materials for optical applications”, Journal of Crystal Growth, 113 (1991) 689. 10、D. C. Harris, “Infrared window and dome materials”, SPIE Optical Engineering Press(1992). 11、Chen et al, “Method of making thermal shock resistant sapphire for IR Windows and Domes”, U.S. Patent. (1997) 5,702,654. 12、J. A. Savage, “Preparation and properties of hard crystalline materials for optical applications”, Journal of Crystal Growth, 113 (1991) 698. 13、D. C. Harris, “Infrared Window and Dome Materials”, SPIE (1992). 14、O. Ambacher,“Growth and Application of GroupⅢ-nitrides”, Journal of Physics D, 31 (1998) 2653. 15、H. Tan, A. Gilbertson, S. Y. Chou, “Roller nanoimprint lithograp hy”, Journal of Vacuum Science and Technology-Section B-Microel ectronics Nanometer Structure, 16 (1998) 3926. 16、B. J. Hockey, “Plastic Deformation of Aluminum Oxide by Indentat-ion and Abrasion”, Journal of the American Ceramic Society , 54 (1971) 223. 17、P. F. Becher, ”Abrasive Surface Deformation of Sapphire”, Journal of the American Ceramic Society, 59 (1976) 143. 18、J. Guo, D. E. Ellis, D. J. Lam, ”First principle calculation of the electronic structure of sapphire:Bulk states”, Physical Review B, 45 (1992) 3204. 19、張景德著,氧化鋁陶瓷及其複合材料,化學工業出版社. 20、http://jcrystal.com/steffenweber/gallery/StructureTypes/st4.html,Copyrights © Al203. 21、J. Czochralski, Journal of Physics Chemistry, 91 (1918) 219. 22、D. Viechnicki, F. Schmid, “Crystal growth using the heat exchanger method(HEM) ”, Journal of Crystal Growth, 26 (1974) 162. 23、J. W. Xu, Y. Z. Zhou, G. G. Zhou, K. Xu, P. Z. Deng, J. Xu, “Growth of large-sized sapphire boules by temperature gradient technique(TGT) ” , Journal of Crystal Growth, 193 (1998) 123. 24、A. Horowitz, S. Biderman, G. Ben Amar, U. Laor, M. Weiss, A. Stern, “Growth of single crystals of optical materials via the gradient solidification method”, Journal of Crystal Growth, 85 (1987) 215. 25、E. Nicklaus, F. Fischer, “The Growth of single crystals of optical materials via the gradient solidification method”, Journal of Crystal Growth, 12 (1972) 337. 26、K. Michael, “Feed assembly for Furnaces which utilize the Verneuil single-crystal Growth technique“, Review of Scientific Instruments, 33 (1962) 1293. 27、G. K. Teal, J. B. Little, “Growth of Germanium Single crystals“,Physical Review, 78 (1950) 647. 28、G. K. Teal, E. Buehler, “Semiconductor“, Physical Review, 87 (1952) 190. 29、B.Cockayne, M. Chesswas, D. B. Gasson, “Single-Crystal Growth of Sapphire“, Journal of materials science, 2 (1967) 7. 30、F. Schmid, M. B. Smith, C. P. Khattak, “Current status of sapphire dome production“, SPIE, 2 (1994) 2286. 31、J. C. Chen, C. W. Lu, “Influence of the crucible geometry on the shape of the melt-crystal interface during growth of sapphire crystal using a heat exchanger method“, Journal of Crystal Growth, 266 (2004) 239. 32、S. Brandon, D. Gazit, A. Horowitz, “Interface shapes and thermal fields during the gradient solidification method growth of sapphire single crystals“, Journal of Crystal Growth, 167 (1996) 190. 33、http://www.monocrystal.com/growing_technology ,Copyrights ©Kyropoulos method of sapphire Growing. 34、http://www.atlas-pcf.ru/tech.htm,Copyrights © Verneuil Techniqu.e 35、蔡淳博,等化學計量比鈮酸鋰單晶區熔提拉製程之開發研究,國立台灣大學 化學工程研究所 博士論文,民國94年11月。 | |
dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/31706 | - |
dc.description.abstract | 中文摘要
目前國內生產LED的廠商有60餘家,在全球LED市場佔有率約2成,由於LED能有效的將電能轉換成光,進而達到省電的效果,而藍寶石晶體則是現今LED基板普遍使用的材料,由於如此,使得越來越多人投入研究與開發生產出高品質的藍寶石單晶。而生產藍寶石單晶的方法有許多,但可惜的是用柴式提拉法生長可以市售的藍寶石單晶在全球上並不多見,在國內更是沒有一家廠商可以用柴式提拉法生長的藍寶石單晶達到市售水準。有鑑於此,吾人才投入用柴式提拉法生長藍寶石單晶之研究,並在此方面獲得不錯的結果,也為國內藍寶石單晶生長研究更往前邁向一步。 | zh_TW |
dc.description.abstract | ABSTRACT
Now, there are more sixty manufacturers that produce light emitting diodes (LED) in Taiwan. In the world, they take about twenty percentage at LED market. It can transpose electricity energy into effectually light energy. Due to this function LED have. The one of popular materials in LED substrate is sapphire wafer. More and more people jump into high quality sapphire wafers research and develop. There are several ways that carry out high quality sapphire wafers. Unfortunately, in the world there are very few sapphire wafers can sell by Czochralski method. In Taiwan, no factory achieves this level. Because of this, we try our best efforts to develop the sapphire single crystal growth by Czochralski method. And, we have not bad conclusion. Go ahead one step in Taiwan for sapphire single crystal growth research. | en |
dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-13T03:18:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-95-R93524066-1.pdf: 2503390 bytes, checksum: cfead8503f510be31bba7fcb42cf9a16 (MD5) Previous issue date: 2006 | en |
dc.description.tableofcontents | 目錄
中文摘要 Ⅰ 英文摘要 Ⅱ 目錄 Ⅲ 圖目錄 Ⅵ 表目錄 Ⅸ 第一章 緒論 1 1.1 藍寶石簡介 1 1.2 文獻回顧 3 1.2.1 藍寶石晶體結構 3 1.2.2 藍寶石晶體生長 5 1.3 研究動機 11 第二章 實驗方法與步驟 13 2.1 實驗原料及耗材 13 2.2 晶體生長設備 15 2.2.1 J50單晶生長爐 16 2.2.2 PEER500單晶生長爐 18 2.3 其他配備 21 2.4 實驗步驟 22 2.4.1 原料跟子晶的製備 22 2.4.1.1 原料的製備 23 2.4.1.2 子晶的製備 23 2.4.2 實驗步驟 24 2.4.2.1 系統架設 24 2.4.2.2 抽氣過程 25 2.4.3 晶體生長 26 第三章 結果與討論 30 3.1 藍寶石單晶第一次生長實驗 30 3.1.1 第一次生長實驗結果 31 3.1.2 第一次生長實驗探討 38 3.2 藍寶石單晶第二次生長實驗 40 3.2.1 第二次生長實驗結果 40 3.2.2 第二次生長實驗探討 47 3.3 藍寶石單晶第三次生長實驗 49 3.3.1 第三次生長實驗結果 49 3.3.2 第三次生長實驗探討 57 3.4 藍寶石單晶第四次生長實驗 60 3.4.1 第四次生長實驗結果 60 第四章 結論 61 參考文獻 63 圖目錄 圖1.2.1-1 藍寶石晶格結構:(a)俯視圖;(b)側視圖。 4 圖1.2.1-2 藍寶石晶體六方晶系原子排列。 4 圖1.2.1-3 菱方結構原子排列。 5 圖2.2-1 CZ爐體示意圖。 8 圖2.2-2 HEM爐體示意圖。 9 圖2.2-3 TGT爐體示意圖。 9 圖2.2-4 GSM爐體示意圖。 10 圖2.2-5 Kyropoulos爐體示意圖。 10 圖2.2-6 Verneuil爐體示意圖。 11 圖2.2.1-1 J50晶體生長電控櫃。 17 圖2.2.2-1 PERI500單晶生長爐。 20 圖2.4-1 原料配製、原料填裝、晶體生長之流程圖。 22 圖2.4.1.1-1 氧化鋁原料裝填製坩堝8分滿處。 23 圖2.4.2.1-1 簡易熱場圖。 25 圖2.4.2.2-1 抽氣流程圖。 26 圖2.4.2.2-2 進氣、排氣閥圖。 26 圖3.1.1-1 藍寶石單晶第一次生長熱場示意圖。 32 圖3.1.1-2 第一次生長實際熱場外觀圖。 33 圖3.1.1-3 頂層氧化鋯遮蓋圖。 34 圖3.1.1-4 第一根藍寶石晶體。 34 圖3.1.1-5 藍寶石晶體對應之重量訊號隨時間分布圖。 35 圖3.1.1-6 OP及重量隨時間分布圖。 35 圖3.1.1-7 紅光雷射筆照射藍寶石晶體body前端部分。 36 圖3.1.1-8 紅光雷射筆照射body中間部分。 36 圖3.1.1-9 部分氧化鋯熔化粘到坩堝表面。 37 圖3.1.1-10 燒結的氧化鋯顆粒。 37 圖3.1.2-1 SEM掃描氧化鋯絕熱材表面。 40 圖3.2.1-1 機械系統檢測。 42 圖3.2.1-2 機械系統檢測。 42 圖3.2.1-3藍寶石單晶第二次生長實驗熱場示意圖。 43 圖3.2.1-4 第二次生長實驗子晶下種情形。 44 圖3.2.1-5 第二次生長實驗子晶套取出後結果。 44 圖3.2.1-6 第二次生長實驗線圈頂層之情形。 45 圖3.2.1-7 第二次生長實驗氧化鋯頂層遮蓋實驗後之情形。 45 圖3.2.1-8 第二次生長銥坩堝實驗後取出之情形。 46 圖3.2.1-9 第二次生長銥晶桿實驗後之情形。 46 圖3.2.2-1 第二次生長後銥桿之元素分析。 48 圖3.2.2-2 第二次生長後頂層氧化鋯沉積物之元素分析。 48 圖3.2.2-3 第二次生長後氧化鋯磚上沉積物。 49 圖3.3.1-1 藍寶石單晶第三次生長熱場示意圖。 51 圖3.3.1-2 第三次生長實際熱場外觀圖。 52 圖3.3.1-3 第三次生長等徑生長拍攝圖。 53 圖3.3.1-4 第三次生長得到之藍寶石晶體。 53 圖3.3.1-5 第三次生長坩堝側面拍攝圖。 54 圖3.3.1-6 第三次生長坩堝俯視拍攝圖。 54 圖3.3.1-7 第三次生長重量訊號隨時間分布圖。 55 圖3.3.1-8 第三次生長OP及重量隨時間分布圖。 55 圖3.3.2-9 綠光雷射筆照射所長出來藍寶石晶體。 56 圖3.3.2-10 a軸藍寶石晶片EPD量測結果。 56 圖3.3.2-11 兆晶c軸藍寶石晶片EPD量測結果。 57 圖3.3.3-1 污染物量測電子掃描顯微鏡結果。 59 圖3.3.3-2 坩堝清理完後浸泡過氫氟酸之圖。 59 圖3.4.1-1 晶體照射綠光雷射筆的情形。 60 表目錄 表1.1-1 藍寶石單晶機械、光學、及化學性質。 2 表3-1 四次藍寶石晶體生長條件。 30 | |
dc.language.iso | zh-TW | |
dc.title | 藍寶石單晶生長之研究 | zh_TW |
dc.title | The Research of Sapphire Single Crystal Growth | en |
dc.type | Thesis | |
dc.date.schoolyear | 94-2 | |
dc.description.degree | 碩士 | |
dc.contributor.coadvisor | 藍崇文 | |
dc.contributor.oralexamcommittee | 陳志臣,洪儒生 | |
dc.subject.keyword | 藍寶石, | zh_TW |
dc.subject.keyword | Sapphire, | en |
dc.relation.page | 66 | |
dc.rights.note | 有償授權 | |
dc.date.accepted | 2006-07-30 | |
dc.contributor.author-college | 工學院 | zh_TW |
dc.contributor.author-dept | 化學工程學研究所 | zh_TW |
顯示於系所單位: | 化學工程學系 |
文件中的檔案:
檔案 | 大小 | 格式 | |
---|---|---|---|
ntu-95-1.pdf 目前未授權公開取用 | 2.44 MB | Adobe PDF |
系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。